曝光蚀刻是一种微电子制造工艺，通过控制光照射时间和强度，在硅片上形成所需的微小凹凸结构。这个过程分为两个主要步骤：

首先，使用紫外光或可见光照射硅片，使部分硅片暴露在光线下。

然后，在暴露的硅片上使用化学物质，使暴露的硅片发生化学蚀刻，形成所需的微小凹凸结构。

这个过程通常需要使用光刻胶、酸和碱等化学品，并通过控制温度和压力等参数，来控制蚀刻的精度和深度。曝光蚀刻是微电子制造过程中非常重要的一个步骤，可以用于制造各种电子器件，如晶体管、电容器和传感器等。