氧化镓是一种无机化合物，别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。

自上世纪50年代，以硅和锗为代表的第一代半导体材料为人类信息技术的高速发展走出了第一步；时间来到20世纪90年代，第二代半导体横空出世，以砷化镓、磷化铟为代表的材料为人类在无线电通讯、微波雷达及红光 LED方面起到了举足轻重的作用。

而近十年来，也被称为宽禁带半导体材料的氮化镓和碳化硅、氧化锌等第三代半导体，直接推动了功率器件、短波长光电器件、光显示、光存储、 光探测、透明导电等领域的高速发展。

此外，氧化镓还有一个不错的特性，那就是你可以向它添加电荷载流子，以通过称为掺杂的过程使其导电性更高。掺杂涉及向晶体中添加受控量的杂质，以控制半导体中电荷载流子的浓度。

随着氧化镓晶体生长技术的突破性进展，氧化稼和蓝宝石一样，可以从溶液状态转化成块状（Bulk）单结晶状态。可以通过运用与蓝宝石晶圆生产技术相同的EFG（Edge-defined Film-fed Growth）方法，做出氧化镓晶圆，成熟的生产工艺会大幅度降低生产成本。